存储市集吹响EUV光刻机聚拢号

AI波浪下，存储市集DRAM芯片正朝着更小、更快、更好的意见发展，EUV光刻机担当重负。三大DRAM原厂中有两家已经引进EUV光刻机分娩DRAM芯片，好意思光相对保守，不外也于本年将在1γ（1-gamma）制程进行EUV技艺试产，三大原厂聚拢，存储市集EUV光刻机期间开启。

好意思光1γ DRAM开启EUV试产

与其他半导体大厂比较，好意思光并不急于为DRAM芯片分娩导入EUV（极紫外光）成立，其DRAM芯片居品王人遴荐DUV（深紫外光）光刻机制造。

近期，媒体报谈好意思光权谋于2024年启动在其10纳米级的1γ制程技艺上进行EUV光刻技艺的试分娩，瞻望该制程技艺于2025年参加大范围量产的阶段。

本年6月26日，好意思光最新（2024年3-5月）财报自大，该季公司营收68.11亿好意思元，环比增长17%，同比增长81.5%；Non-GAAP下，好意思光谋划利润9.41亿好意思元；净利润7.02亿好意思元，环比增长47%。其中，DRAM收入约47亿好意思元，环比增长13%，营收占比约69%。

好意思光CEO Sanjay Mehrotra在财报会议上示意，1γ制程DRAM试产进展告成， 相宜量产权谋。现阶段，好意思光正在日本广岛工场拓荒遴荐EUV光刻技艺的1γ DRAM制造技艺，这亦然首批1γ存储器的试产地。

好意思光DRAM技艺道路图自大，1γ之后，好意思光也将在1δ工艺中遴荐EUV技艺，同期好意思光在改日几年将发展3D DRAM的架构，以及用于DRAM分娩的High-NA EUV光刻技艺。

业界自大，High NA EUV技艺是EUV技艺的进一步发展。NA代表数值孔径，示意光学系统汇集和聚焦明后的才气。数值越高，聚光才气越好。通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统，High NA EUV光刻技艺概况大幅提高差别率，从而有助于晶体管的进一步微缩。

EUV：存储大厂引跳跃进DRAM技艺的重要

刻下，DRAM先进制程束缚朝10nm级别迈进，分娩难度与分娩成立也随之升级，因而存储大厂启动对准EUV光刻机。

据悉，DUV光刻使用193纳米波长，而EUV光刻使用13.5纳米波长，波长改善有助于绘画更精粹的电路，从而不错在疏导的名义积中存储更多的数据。使用EUV工艺制造的芯片尺寸虽小但功能巨大，科罚才气和分娩率更强，从而使得智高手机、物联网成立和就业器等期骗中的多功能性进一步提高。

成绩于半导体制造技艺和专科手段的积存，三星在部署EUV光刻机方面具备先发上风，是三大DRAM原厂中着手援用EUV光刻机分娩DRAM芯片的厂商。

三星于2020年告示已托福100万个基于EUV技艺的10纳米级 (D1x) DDR4（第四代双倍数据速度DRAM，同庚，三星恬逸启动华城厂区极紫外光刻（EUV）专用V1分娩线。2021年10月，三星告示启动量产14nm EUV DDR5 DRAM。随后，三星一直批量分娩使用EUV技艺的特假寓品。

参加2024年，媒体报谈三星权谋进一步扩大EUV工艺，本年年底前杀青1c nm（对应好意思光1γ nm）制程的量产，这有望进步EUV使用量，在减小线宽、进步速度同期带来更好能效。

结 语

存储产业中，DRAM制程技艺正束缚向10nm级别围聚，以致改日有望龙套10nm以下，这也曾由中，EUV光刻技艺也将在改日推崇愈加紧迫的作用。跟着好意思光1γ DRAM开启EUV期间，三星等存储大厂持续深耕EUV，改日EUV光刻机有望在DRAM分娩中迎来属于它的高光时分。